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    低容值瞬变抑制二极管阵列LC3311CCW

    低容值瞬变抑制二极管阵列LC3311CCW--点击浏览大图

    所属目录:低电容防雷元件TVS Array

    搜索关键字:低容值瞬变抑制二极管阵列LC3311CCW

    信息简介:低容值瞬变抑制二极管阵列LC3311CCW

    详细信息:
    “低容值瞬变抑制二极管阵列LC3311CCW”参数说明
    是否有现货: 认证: CCC
    品牌: DD 极性: 双极性
    封装及内部结构: 贴片式/组件式 用途: 通用型器件
    型号: LC3311CCW ***C03C 规格: 350W
    商标: D-firstbbin体育电子 包装: 编带盘装
    产量:
    “低容值瞬变抑制二极管阵列LC3311CCW”详细介绍

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    低容值瞬变抑制二极管阵列LC3311CCW ***C03C ***C03CI

    产品特性:

    1、浪涌额定功率:200Watt???????

    2、封装形式:标准SOD-323封装????????

    3、环保要求:符合RoHS、Reach等环保要求;???????

    4、产品优点:结电容低至1.0pF、响应时间快、瞬态功率大、漏电流低(NA级)、击穿电压偏差小、箝位电压较低、无损坏极限、体积小,耐高温不丢包。

    5、包装方式:盘装3000PCS/盘

    ?产品常规电性参数表:?

    Part Number

    Marking

    VRWM

    (V)

    IDRMMax.

    (uA)

    VBR Min.

    (V)

    IT

    (mA)

    Vc

    (V)

    Ipp

    (A)

    Co

    (pF)

    LC3311CCW

    CA1

    3.3

    0.5

    3.5

    1

    6.0

    10

    1.0

    ?

    应用领域:

    通信设备以太网口防雷,GPS天线防浪涌保护。各种通信端口,高速数据传输保护。

    ?

    RJ45千兆以太网通讯高温不丢包防浪涌保护方案

    TVS二极管阵列***C03C-LF-T7?低电容防雷元件

    电性参数:***C03C ?LC3311CCW

    功率pPP: 350W ??8/20uS ??

    断态电压3.3V,

    箝位电压VCC<20V ?IPP>20A

    极低的漏电流 IR<100nA

    方案特点

    ?1、可应用于10/100M 1000M高速以太网通讯接口

    在变压器后端采用低结电容,低漏电流的TVS,后级再串联电阻。

    在环境较恶劣,如高温下,100米网线传输,信号传输丢包率极低

    浪涌测试满足条件:

    符合规范 1、ITU-TK.21,K.45,K.20(加强要求)

    2、ESDIEC

    3、通过差模2KV/共模6KV10/700μs雷击浪涌

    应用产品

    1、GPPON,EPON家庭宽带局端设备

    工业以太网交换机

    机顶盒,LCD电视

    高清网络摄像机

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